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　　答：公司碳化硅衬底材料业务已实现6-8英寸碳化硅衬底规模化量产与销售，量产的碳化硅衬底核心参数指标达到行业一流水平，并实现12英寸导电型碳化硅单晶生长技术突破，成功长出12英寸碳化硅晶体。受益于晶体生长及加工设备的高度自给，能够实现设备和工艺的高度融合，促进协同创新，使公司在技术工艺调整、产能投放以及成本控制方面取得竞争优势，并能够根据碳化硅材料下游应用领域的更多探索而灵活调整，快速适配行业发展需求。同时，公司积极推进碳化硅衬底在全球的客户验证，送样客户范围大幅提升，产品验证进展顺利，并成功获取部分国际客户批量订单。

　　答：在碳化硅产业链装备领域，公司开发了碳化硅长晶及加工设备（研磨、切割、减薄、倒角、抛光、清洗及检测），满足公司碳化硅衬底规模化产能建设需求的同时，在技术、工艺以及成本方面构筑壁垒，强化公司在碳化硅衬底领域的核心竞争力。基于产业链核心设备的国产化突破，公司在检测、离子注入、激活、氧化、减薄、退火等工艺环节积极布局产品体系，以高标准研发目标，逐步实现产品产业化市场突破，6-8英寸碳化硅外延设备实现国产替代并市占率领先。公司碳化硅设备客户包括瀚天天成、东莞天域、芯联集成、士兰微600460）等行业头部企业。

　　答：公司依托半导体装备国产替代的行业发展趋势和机遇，积极推进半导体装备的市场推广。在集成电路装备领域，公司自主研发的12英寸常压硅外延设备顺利交付国内头部客户，其电阻率、厚度均匀性、外延层缺陷密度、生产效率以及工艺重复性等关键指标达到国际先进水平。积极推进12英寸干进干出边抛机、12英寸双面减薄机等新产品的客户验证。12英寸硅减压外延生长设备顺利实现销售出货，设备采用单温区、多温区闭环控温模式，结合多真空区间精准控压技术，确保外延生长过程的高度稳定性，其独特的扁平腔体结构和多口分流系统设计，能够显著提升外延层的膜厚均匀性和掺杂均匀性，满足先进制程的高标准要求。成功开发应用于先进封装的超快紫外激光开槽设备，填补国内高端紫外激光开槽技术领域的空白，实现国产替代。在化合物半导体装备领域，公司紧抓碳化硅产业链向8英寸转移的行业发展趋势，充分发挥在碳化硅产业链装备的核心技术优势，加强8英寸碳化硅外延设备以及6-8英寸碳化硅减薄设备的市场推广，积极推进碳化硅氧化炉、激活炉以及离子注入等设备的客户验证，相关设备的市场工作进展顺利，为规模化量产奠定坚实基础。在新能源光伏装备领域，公司持续加强研发技术创新，在产品技术和工艺、自动化和智能化以及先进制造模式等领域持续进行创新，以创新产品为下游客户提效。在电池端，持续完善金属腔、管式、板式三大平台设备体系，针对TOPCon提效以及BC创新，积极推进EPD、LPCVD、PECVD、PVD以及ALD等设备的市场推广和客户验证，EPD设备持续强化行业领先的技术和规模优势，ALD设备验证良好，在推动产业创新的同时，助力公司高质量发展。

　　答：子公司晶鸿精密坚持以核心零部件国产化为目标，不断强化精密加工、特种焊接、组装测试、半导体级表面处理等核心制造能力，持续加强关键零部件的研发攻关和产业化建设，产品质量持续提升，产品品类日益丰富。强化零部件产品的市场拓展，聚焦客户需求，构建研发、制造、服务一体化解决方案，为客户提供高品质、高效率的产品和服务，提升半导体产业链关键零部件的配套供应和服务能力，公司不断拓展真空腔体、精密传动主轴、游星片、陶瓷盘以及其他高精度零部件等系列产品的客户群体，推动市场规模持续提升。